Esittele erityyppisiä soluja

1. ^{Johdatus soluihin}

(1) Yleiskatsaus:Solut ovat sen ydinkomponenttejaaurinkosähkön tuotanto, ja niiden tekninen reitti ja prosessitaso vaikuttavat suoraan aurinkosähkömoduulien sähköntuotannon tehokkuuteen ja käyttöikään.Aurinkosähkökennot sijaitsevat aurinkosähköteollisuuden ketjun keskiosassa.Ne ovat puolijohteita ohuita levyjä, jotka voivat muuntaa auringon valoenergian sähköenergiaksi, joka saadaan käsittelemällä yksi-/monikiteisiä piikiekkoja.

Periaateaurinkosähkön tuotantotulee puolijohteiden valosähköisestä vaikutuksesta.Valaistuksen kautta syntyy potentiaaliero homogeenisten puolijohteiden tai metallien kanssa yhdistettyjen puolijohteiden eri osien välille.Se muunnetaan fotoneista (valoaalloista) elektroneiksi ja valoenergiasta sähköenergiaksi jännitteen muodostamiseksi.ja nykyinen prosessi.Ylävirran linkissä tuotetut piikiekot eivät voi johtaa sähköä, ja prosessoidut aurinkokennot määräävät aurinkosähkömoduulien sähköntuotantokapasiteetin.

(2) Luokitus:Substraattityypin näkökulmasta solut voidaan jakaa kahteen tyyppiin:P-tyypin solut ja N-tyypin solut.Boorin seostus piikiteissä voi tehdä P-tyypin puolijohteita;Fosforin seostus voi tehdä N-tyypin puolijohteita.P-tyypin akun raaka-aineena on P-tyypin piikiekko (seostettu boorilla) ja N-tyypin akun raaka-aineena on N-tyypin piikiekko (seostettu fosforilla).P-tyypin kennoihin kuuluvat pääasiassa BSF (perinteinen alumiininen takakenttäkenno) ja PERC (passivoitu emitteri ja takakenno);N-tyypin solut ovat tällä hetkellä valtavirran tekniikatTOPCon(tunnelointioksidikerroksen passivointikontakti) ja HJT (sisäinen ohutkalvo Hetero-liitos).N-tyypin akku johtaa sähköä elektronien läpi, ja boori-happiatomiparin aiheuttama valon aiheuttama vaimennus on pienempi, joten valosähköinen muunnostehokkuus on suurempi.

3. PERC-akun esittely

(1) Yleiskatsaus: PERC-akun koko nimi on "emitter and back passivation akku", joka on luonnollisesti johdettu tavanomaisen alumiinisen takakenttäakun AL-BSF-rakenteesta.Rakenteellisesti nämä kaksi ovat suhteellisen samanlaisia, ja PERC-akussa on vain yksi passivointikerros enemmän kuin BSF-akussa (edellisen sukupolven akkutekniikka).Takaosan passivointipinon muodostus mahdollistaa PERC-solun vähentämään takapinnan rekombinaationopeutta samalla kun se parantaa takapinnan valon heijastusta ja parantaa kennon muunnostehokkuutta.

(2) Kehityshistoria: Vuodesta 2015 lähtien kotimaiset PERC-akut ovat siirtyneet nopean kasvun vaiheeseen.Vuonna 2015 kotimainen PERC-akkujen tuotantokapasiteetti saavutti ensimmäisen sijan maailmassa, ja sen osuus on 35 % maailmanlaajuisesta PERC-akkujen tuotantokapasiteetista.Vuonna 2016 National Energy Administrationin toteuttama "Photovoltaic Top Runner Program" johti PERC-kennojen teollisen massatuotannon viralliseen käynnistymiseen Kiinassa, keskimääräisellä hyötysuhteella 20,5 %.Vuosi 2017 on käännekohta markkinaosuuden kannaltaaurinkokennoja.Perinteisten kennojen markkinaosuus alkoi laskea.Kotimaan PERC-kennojen markkinaosuus kasvoi 15 prosenttiin ja sen tuotantokapasiteetti on kasvanut 28,9 GW:iin;

Vuodesta 2018 lähtien PERC-akuista on tullut markkinoiden valtavirta.Vuonna 2019 PERC-kennojen laajamittainen massatuotanto kiihtyy, ja massatuotannon tehokkuus on 22,3 %, mikä muodostaa yli 50 % tuotantokapasiteetista, ohittaen virallisesti BSF-kennot ja siitä tulee valtavirran aurinkokennoteknologia.CPIA:n arvioiden mukaan vuoteen 2022 mennessä PERC-kennojen massatuotannon tehokkuus nousee 23,3 prosenttiin ja tuotantokapasiteetin osuus on yli 80 prosenttia, ja markkinaosuus on edelleen ykkönen.

4. TOPCon-akku

(1) Kuvaus:TOPCon akku, eli tunnelointioksidikerroksen passivointikosketinkenno, valmistetaan akun takapuolelle ultraohualla tunnelointioksidikerroksella ja kerroksella erittäin seostettua polypii-ohutkerrosta, jotka yhdessä muodostavat passivointikontaktirakenteen.Vuonna 2013 sitä ehdotti saksalainen Fraunhofer-instituutti.PERC-kennoihin verrattuna yksi on käyttää n-tyypin piitä substraattina.Verrattuna p-tyypin piikennoihin, n-tyypin piillä on pidempi vähemmistön kantoaaltoikä, korkea muunnostehokkuus ja heikko valo.Toinen on passivointikerroksen (ultraohut piioksidi SiO2 ja seostettu poly-pii-ohut kerros Poly-Si) valmistaminen takapuolelle kontaktipassivointirakenteen muodostamiseksi, joka eristää seostetun alueen kokonaan metallista, mikä voi entisestään pienentää selkää. pinta.Pinnan ja metallin välisen vähemmistökantajan rekombinaation todennäköisyys parantaa akun muunnostehokkuutta.